摘要:
为了研究水稻镉(Cd)积累量与其流速之间的关系,采用非损伤微测技术对四种基因型水稻根系不同部位和根茎维管束组织中的镉离子(Cd
2+)流速进行了测定。结果表明,根系不同部位的Cd
2+流速存在显著差异,伸长区的Cd
2+流速显著大于根冠,根毛区和根毛,且在基因型间存在明显差异。根系伸长区维管束组织的最大Cd2+流速比其表皮细胞的流速大1倍以上,基因型间的差异较小。茎秆维管束组织中的Cd
2+流速在基因型间的差异非常显著,T优705各部位的Cd
2+流速都明显大于其他品种,且稳定性较好,致使其根系和地上部的Cd积累量也显著大于其他品种。根茎维管束组织中的Cd
2+流速能够准确地反映不同水稻品种转运和积累Cd的潜力。